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                产品新闻

                GD32 存储器芯片与 ?STM32 异同

                2015-12-24

                GDQ兆易)产品主要应用领域Q?/span>

                    电动车控制器、激光控制板、智能扫地机、扭扭R、医用理疗AQ?span style="font-family: 宋体; font-size: 12px; line-height: 18px;">主要应用在中f、中高端产品做主控应?/span>


                型号Q?/span>

                    GD32F103RBT6、GD32F103VBT6、GD32F103VCT6


                与STM32软硬仉有不同(不能直接F、相言适合新方案中应用替换Q?/span>

                 GD32 ??STM32  异同

                1.  相同?/p>

                1)  外围引脚定义Q?相同型的管脚定相?/p>

                2)  Cortex M3 内核Q?STM32F103  内核 R1P1  版本, STM32F205  内核 R2P1 Q?/p>

                GD32  内核 R2P1  版本Q此内核修复?R1P1  的一?bug

                3)  芯片内部寄存器,

                外部 IP  寄存器地址 : 逻辑地址相同Q主要桼Ҏ STM32  的寄存器和物理地址,

                做的正向研发.

                4)  函库文Ӟ 函数库相同,优化需更改头文g

                5)  ~译工具Q?完全相 例如Qkeil MDK 、IAR

                6)  型号命名方Q?完全同

                2.  外围g区别

                1)  电压范围QADC Q?Q?GD32FQ?2.6-3.6V Q?STM32FQ?2.0-3.6VQ外部电压)

                GD32FQ?1.2VQ内电压)STM32FQ?1.8VQ内栨电压)

                2)  BOOT 0 脚Q?Flash E序q行ӞBOOT0 ?STM32 上可悬空QGD32 必须?/p>

                部下拉(?Flash q行QBOOT0 必须両拉圎ͼ

                3)  ESD 参数Q?STM32 Z模式 2KV,I气模式 500V

                GD32 Z模式 4KV(内测 5KV),I气模式 10KV(内测 15KV)

                3.  内部l构别

                1)  启动旉Q?GD32 启动旉相同Q由?GD q行E快Q需要gF甉|?/p>

                配置(2ms)

                GD32 启动旉相同Q由?GD q行E快Q需要gF甉|?/p>

                配置(2ms)

                2)  主频旉Q?GD32F10 pd主频 108MHZ STM32F10 pd主频 72MHZ

                3)  Flash 擦除旉Q?GD32 ?60ms/pageQSTM 30ms/page

                4)  FLASH 定wQ?GD32 最大容?3M Byte

                5)  SRAM I间Q?GD32F103 pd、GD32F105\107 大容量系?SRAM 96K

                6)  VB 外扩ȝ FSMCQ?GD32 100PIN 配置ȝ输出QSTM32 144PIN q且 256k 以上

                才配|ȝ输出

                4.  功耗区??128k 以下定w的作为参?

                1)  睡眠模式 SleepQ?GD32FQ?12.4mA STM32F10XQ?7.5mA

                2)  深度睡眠模式 Deep SleepQ?GD32FQ?1.4mA STM32F10XQ?24uA

                3)  待机模式 Stand By: GD32F: 10.5uA STM32F10X: 3.4uA

                4)  q行功耗: GD32F: 32.4mA/72M STM32F10X: 52mA/72M

                5.  内部 H FLASH  区别

                1)  ISP Q?擦写旉??2 STM32  有差?Q?使用新版 P ISP  软g

                2)  IAP Q?擦写旉 相同 Q?按_-\~写入 Q?按页擦除

                3)  存寿命 Q?0 10  万次擦写 Q?数据保存 0 20  q以?/p>

                4)  加Ҏ?Q?除了规的禁止读出和 6 96 ??D ID  L加密之外 Q? GD32  数据写

                h Flash  ?Q??有存储逻辑地址q Q?物理地址不l的Ҏ??/p>


                战略合作

                发展历程

                  ?000q??8?深圳广盛电子有限公司成f??010q??8?q盛十周q庆??010q??获“电子行业广大诚信分销商??013q?2?2013全国电子信息行业...

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